碳化硅(SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石是芯片,制作芯片的核心材料按照歷史進(jìn)程分為:**代半導(dǎo)體材料(大部分為目前廣泛使用的高純度硅),第二代化合物半導(dǎo)體材料(砷化鎵、磷化銦),第三代化合物半導(dǎo)體材料(碳化硅、氮化鎵) 。碳化硅因其優(yōu)越的物理性能:高禁帶寬度(對(duì)應(yīng)高擊穿電場(chǎng)和高功率密度)、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率,將是未來被廣泛使用的制作半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料。
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